C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Número de pieza：
C2M0080120D
Modelo alternativo：
C3M0065090D , C2M0040120D , C2M0025120D , SCT30N120 , E3M0075120D , C4D10120D , C4D02120E , SIL05-1A72-71D , C3M0120065D , C3M0025065L-TR , C3D10060A , FAN9673Q , C3M0016120K , DIP12-2A72-21L , G6S-2 DC3 , MGJ2D121505SC , MGJ2D241505SC , MGJ2D051505SC , MGJ3T12150505MC-R7 , MGJ2D151505SC , MGJ3T24150505MC-R7 , MGJ3T05150505MC-R7 , MGJ3T12150505MC-R13 , MGJ3T24150505MC-R13 , MGJ3T05150505MC-R13
Fabricante：
Wolfspeed
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
RoHS：
YES
C2M0080120D Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
20V
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (máx.)：
+25V, -10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
36A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 5mA
Disipación de energía (máx.)：
192W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
98mOhm @ 20A, 20V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
62 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
950 pF @ 1000 V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：3185
Cantidad
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Precios internacionales
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32.16
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30
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799.8
120
25
3000
510
21.33
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