C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Número de pieza：
C2M1000170D
Modelo alternativo：
MGJ2D121505SC , MGJ2D241505SC , MGJ2D051505SC , MGJ3T12150505MC-R7 , MGJ2D151505SC , MGJ3T24150505MC-R7 , MGJ3T05150505MC-R7 , MGJ3T12150505MC-R13 , MGJ3T24150505MC-R13 , MGJ3T05150505MC-R13 , C2M1000170J , G2R1000MT17D , SICW1000N170A-BP , IXTH2N170D2 , MSC750SMA170B , WA-T247-101E , DN2540N5-G , MSC750SMA170B4 , C3M0120065K , IXDN609SI , UF3C065030K3S , 2N2222A , BZT52C20TQ-7-F , ACNT-H79A-500E , UCC28C43QDRQ1
Fabricante：
Wolfspeed
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
RoHS：
YES
C2M1000170D Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247-3
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
20V
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (máx.)：
+25V, -10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 500µA
Disipación de energía (máx.)：
69W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1700 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4.9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.1Ohm @ 2A, 20V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
191 pF @ 1000 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：2269
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
12.51
12.51
30
9.99
299.7
120
8.93
1071.6
510
7.89
4023.9
1020
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