C2M0280120D
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Número de pieza：
C2M0280120D
Modelo alternativo：
G3R160MT12D , C3M0065090D , C2M0160120D , C3M0120065K , C4D05120A , C2M1000170D , C3M0120065D , GP2T080A120U , C3M0015065D , C3M0350120D , C3M0075120K , G3R350MT12D , C3M0021120D , G2R1000MT17D , E3M0075120D
Fabricante：
Wolfspeed
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
RoHS：
YES
C2M0280120D Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
20V
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (máx.)：
+25V, -10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
62.5W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
370mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.8V @ 1.25mA (Typ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
20.4 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
259 pF @ 1000 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：15950
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
12.06
12.06
30
9.63
288.9
120
8.61
1033.2
510
7.6
3876
1020
6.84
6976.8
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