R6035ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Número de pieza：
R6035ENZ1C9
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
RoHS：
YES
R6035ENZ1C9 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
600 V
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
110 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247
Disipación de energía (máx.)：
120W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
35A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
102mOhm @ 18.1A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2720 pF @ 25 V
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Número de envases estándar：1600
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