RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Número de pieza：
RRH100P03GZETB
Modelo alternativo：
RRH090P03GZETB , IPD380P06NMATMA1 , SI4425BDY-T1-E3 , 88E1510-A0-NNB2C000 , TLV7163318PDPQR , AXK6S20447M3 , BLA31BD221SN4D , DS92LV2411SQE/NOPB , SN65LV1023ADBR , BM09B-SRSS-TBT , G2RL-1A-E DC5 , NANOSMDC050F/13.2-2 , IRFIZ44NPBF , LP2997MRX/NOPB , 1SS352 , H3F
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
RoHS：
YES
RRH100P03GZETB Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOP
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
68 nC @ 10 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4V, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
12.6mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
3600 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
650mW (Ta)
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Número de envases estándar：8368
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