SI7905DN-T1-GE3

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SI7905DN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212

Numéro de pièce：

SI7905DN-T1-GE3

Modèle alternatif：

CSD17313Q2 , DMN3730UFB4-7 , QH8JB5TCR , BSS84-7-F , 1N4148WSF-7 , MBR0530-TP , B540C-13-F , BAT42WS-G3-08 , BLM21PG300SN1D , 742792012 , MH1608-800Y , SP1003-01DTG , T520D337M006ATE015 , 1N5819HW-7-F , LI0805H151R-10

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212

RoHS：

YES

：

SI7905DN-T1-GE3 SI7905DN-T1-GE3 SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

40V

Configuration：

2 P-Channel (Dual)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

30nC @ 10V

Colis/Caisse：

PowerPAK® 1212-8 Dual

Package d'appareil du fournisseur：

PowerPAK® 1212-8 Dual

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

60mOhm @ 5A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

880pF @ 20V

Puissance - Max：

20.8W

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