SI7980DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO8
Numéro de pièce：
SI7980DP-T1-GE3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Description：
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO8
RoHS：
YES
SI7980DP-T1-GE3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(e) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Configuration：
2 N-Channel (Half Bridge)
Tension drain-source (Vdss)：
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
8A
Colis/Caisse：
PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareil du fournisseur：
PowerPAK® SO-8 Dual
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
27nC @ 10V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
22mOhm @ 5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1010pF @ 10V
Puissance - Max：
19.8W, 21.9W
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