SI4214DDY-T1-E3

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SI4214DDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Numéro de pièce：

SI4214DDY-T1-E3

Modèle alternatif：

SI4214DDY-T1-GE3 , R5F52315AGFM#30 , NLA9306MU3TCG , TSM4936DCS RLG , TAS2770YFFR , MT53E1G32D2FW-046 WT:B , LSM6DSOTR , NX5P3090UKZ , MMZ1005S241CT000 , PAM2804AAB010 , FPF1204UCX , PCA9555RGER , SIC438BED-T1-GE3 , FXLA0104QFX , LTC1726ES8-5#PBF

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC

RoHS：

YES

：

SI4214DDY-T1-E3 SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)：

30V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.5V @ 250µA

Configuration：

2 N-Channel (Dual)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

660pF @ 15V

Puissance - Max：

3.1W

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

22nC @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

8.5A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

19.5mOhm @ 8A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：3952

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.39

975

5000

0.36

1800

12500

0.34

4250

25000

0.33

8250

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