TPC8221-H,LQ(S
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Numéro de pièce:
TPC8221-H,LQ(S
Fabricant:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
RoHS:
NO
TPC8221-H,LQ(S Spécifications
Type de montage:
Surface Mount
Colis/Caisse:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur:
8-SOP
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss):
30V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 3A, 10V
Configuration:
2 N-Channel (Dual)
Puissance - Max:
450mW
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
6A
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:
12nC @ 10V
Vgs(e) (Max) @ Id:
2.3V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:
830pF @ 10V
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:1600
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
Conseil chaleureux Veuillez remplir le formulaire ci - dessous. Nous vous contacterons dès que possible.
Nom de l'entreprise:
Veuillez entrerNom de l'entreprise
Nom:
Veuillez entrerNom
Téléphone:
Veuillez entrerTéléphone
Boîte aux lettres:
Veuillez entrerBoîte aux lettres
Quantité:
Veuillez entrerQuantité
Description:
Veuillez entrerDescription
Code de vérification:
Veuillez entrer le Code de vérification