IRF9389TRPBF

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IRF9389TRPBF

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO

Numéro de pièce：

IRF9389TRPBF

Modèle alternatif：

IRF9389PBF , IRS2005STRPBF , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , SP8M10FRATB , BSP317PH6327XTSA1 , BNX028-01L , FDD8424H , DMC3025LSD-13 , FDS8958A , BSS214NWH6327XTSA1 , 1N5819W , IRF7319TRPBF , IRF9540NPBF , ISZ0702NLSATMA1 , NCV8187AMT120TAG , LM324PWR , IRF7389TRPBF , IRFP260NPBF

Fabricant：

IR (Infineon Technologies)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO

RoHS：

YES

：

IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF

IRF9389TRPBF Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur：

8-SO

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Configuration：

N and P-Channel

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)：

30V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Puissance - Max：

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

14nC @ 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.3V @ 10µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6.8A, 4.6A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

27mOhm @ 6.8A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

398pF @ 15V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：19267

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

4000

0.23

920

8000

0.22

1760

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2400

28000

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