CSD85312Q3E

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CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Numéro de pièce：

CSD85312Q3E

Modèle alternatif：

TPS25830AQCWRHBRQ1 , TPS25830QWRHBTQ1 , ACP3225-501-2P-T000 , DP83867ERGZT , LTC4365HDDB#TRMPBF , DF61Y-2P-2.2V(23) , XZFBBZEBM2DGZ157W , TPS259470LRPWR , CDCI6214RGET , PCMF3HDMI2SZ , TPS1H100BQPWPRQ1 , USB4200-03-A , SIT1566AI-JE-18E-32.768E , ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3 , INA226AQDGSRQ1

Fabricant：

Texas Instruments

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

RoHS：

YES

：

CSD85312Q3E CSD85312Q3E

CSD85312Q3E Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

8-PowerVDFN

Tension drain-source (Vdss)：

20V

Configuration：

2 N-Channel (Dual) Common Source

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.4V @ 250µA

Puissance - Max：

2.5W

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate, 5V Drive

Package d'appareil du fournisseur：

8-VSON (3.3x3.3)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

39A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

12.4mOhm @ 10A, 8V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

15.2nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2390pF @ 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：9403

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

2500

0.56

1400

5000

0.54

2700

12500

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