FGH60T65SHD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Numéro de pièce:
FGH60T65SHD-F155
Modèle alternatif:
NCD57000DWR2G  ,  NCD5700DR2G  ,  IXXH60N65B4  ,  FGH75T65SHDT-F155  ,  STGWA40H65DFB2  ,  FGH60T65SQD-F155  ,  FGH75T65SQDT-F155  ,  FGH75T65SHD-F155  ,  NCP3335ADMADJR2G  ,  NGTB40N120FL3WG  ,  NGTB25N120FL3WG
Fabricant:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Catégorie:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Description:
IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
RoHS:
YES
FGH60T65SHD-F155 Spécifications
Type de montage:
Through Hole
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type IGBT:
Trench Field Stop
Type d'entrée:
Standard
Colis/Caisse:
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur:
TO-247-3
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max):
650 V
Courant - Collecteur pulsé (Icm):
180 A
Courant - Collecteur (Ic) (Max):
120 A
Frais de porte:
102 nC
Condition de test:
400V, 60A, 6Ohm, 15V
Puissance - Max:
349 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 60A
Temps de récupération inversée (trr):
34.6 ns
Changer d'énergie:
1.69mJ (on), 630µJ (off)
Td (marche/arrêt) à 25°C:
26ns/87ns
Enquête rapide
Délai standard du fabricant:À déterminer
Quantité d'emballage standard:2025
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
5.53
5.53
30
4.39
131.7
120
3.76
451.2
510
3.34
1703.4
1020
2.86
2917.2
2010
2.7
5427
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