IRF640FP
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
部件编号：
IRF640FP
替代型号：
IRFI640GPBF,IRF640NPBF
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
RoHS：
YES
：
IRF640FP 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
TO-220-3 Full Pack
漏源电压 (Vdss)：
200 V
供应商设备包：
TO-220FP
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
18A (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
72 nC @ 10 V
功耗（最大）：
40W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1560 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
180mOhm @ 9A, 10V
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