FQD7N20LTM
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
部件编号：
FQD7N20LTM
替代型号：
NCV890430MW50TXG,DMN10H170SK3-13,P0102DN 5AA4,FQB5N90TM,FDB1D7N10CL7,FQD6N40CTM,STD5N20LT4,FQD13N10LTM,FQP6N80C,MBRS3201T3G,FCP099N65S3,NCV8501D50R2G,MBRS4201T3G,STD6NF10T4,1SMB5924BT3G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
RoHS：
YES
FQD7N20LTM 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 250µA
供应商设备包：
TO-252AA
漏源电压 (Vdss)：
200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
5V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
5.5A (Tc)
功耗（最大）：
2.5W (Ta), 45W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
500 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
9 nC @ 5 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
750mOhm @ 2.75A, 10V
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