FQD6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
部件编号：
FQD6N40CTM
替代型号：
FQB5N90TM,STD7NK40ZT4,MC3403DR2G,SZ1SMB5926BT3G,1SMB5920BT3G,FQD5P20TM,KSZ8852HLEWA,CAT4238TD-GT3,MC79M15CDTRKG,MBRS130T3G,UC3844BVD1R2G,FQD7N20LTM,FQD13N10LTM,MBRA160T3G,MC33079DR2G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
RoHS：
YES
FQD6N40CTM 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
400 V
供应商设备包：
TO-252AA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
20 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
625 pF @ 25 V
功耗（最大）：
2.5W (Ta), 48W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1Ohm @ 2.25A, 10V
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