IXFA10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
部件编号:
IXFA10N60P
替代型号:
IXFA10N60P-TRL
制造商:
Littelfuse / IXYS RF
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
RoHS:
YES
IXFA10N60P 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(最大):
±30V
包装/箱:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss):
600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
32 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
10A (Tc)
功耗(最大):
200W (Tc)
供应商设备包:
TO-263AA (IXFA)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
1610 pF @ 25 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
5.5V @ 1mA
Rds On(最大)@Id、Vgs:
740mOhm @ 5A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1922
数量
单价
国际价格
1
4.55
4.55
50
3.61
180.5
100
3.1
310
500
2.75
1375
1000
2.35
2350
2000
2.22
4440
5000
2.13
10650
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码