FDD3N40TM
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
部件编号：
FDD3N40TM
替代型号：
FQD12N20LTM,NCV896530MWATXG,FDB33N25TM,FDS3590,FGB40T65SPD-F085,FQD6N40CTM,NCV8675DT50RKG,FDD18N20LZ,FQP3P50,NCV7520MWTXG,1SMB5918BT3G,NVD5C688NLT4G,1SMB5924BT3G,FDMS86263P,1SMB5946BT3G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
RoHS：
YES
FDD3N40TM 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 250µA
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
漏源电压 (Vdss)：
400 V
供应商设备包：
TO-252AA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2A (Tc)
功耗（最大）：
30W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
6 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.4Ohm @ 1A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
225 pF @ 25 V
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