SI3442BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
部件编号：
SI3442BDV-T1-E3
替代型号：
AI-1027-TWT-5V-R,DMG1012T-7,RN114-2.5-02-3M3,3296W-1-502LF,MCP98243-BE/ST,LMR51430XDDCR,BQ25628RYKR,1053001200,ECS-80-20-5PX-TR,TPS62840YBGR,B72210S0351K101,EDM450AUSC0 LFG,BCR421UW6-7,36912000000,R-78E5.0-0.5
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
RoHS：
YES
SI3442BDV-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包：
6-TSOP
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.8V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
5 nC @ 4.5 V
功耗（最大）：
860mW (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
57mOhm @ 4A, 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
295 pF @ 10 V
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