2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
部件编号：
2N7002ET1G
替代型号：
2N7002ET3G,2N7002ET7G,BAT54HT1G,0878311420,BC856BLT1G,DMN63D8L-7,B540C-13-F,LTST-C171GKT,0039281063,DCX124EK-7-F,SZMM3Z12VST1G,MM3Z3V6T1G,US1M-13-F,LTST-C171KGKT,1050170001,CSD25402Q3A,BZT52C16-7-F
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
RoHS：
YES
2N7002ET1G 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
包装/箱：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包：
SOT-23-3 (TO-236)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
260mA (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.5Ohm @ 240mA, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
0.81 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
26.7 pF @ 25 V
功耗（最大）：
300mW (Tj)
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标准包装数量：517760
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