SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
部件编号：
SI7852ADP-T1-GE3
替代型号：
CSD25402Q3A,DMTH8012LPSW-13,SI3440DV-T1-GE3,TSM340N06CP ROG,CSD17313Q2,PETC-04-12-04-01-T-VT-LC,LT3724EFE#PBF,MF-GSMF300/36X-2,LTC7003EMSE#TRPBF,SMF12A-M3-08,3586KTR,BSC123N08NS3GATMA1,DMTH10H010LCTB-13,0997020.WXN,0997010.WXN
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7852ADP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
45 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
80 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
8V, 10V
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
30A (Tc)
功耗（最大）：
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
17mOhm @ 10A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1825 pF @ 40 V
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