SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
部件编号：
SIA456DJ-T1-GE3
替代型号：
NCV7520MWTXG,SI4090DY-T1-GE3,SIA446DJ-T1-GE3,NRVTSA4100T3G,TPN2010FNH,L1Q,SI4056DY-T1-GE3,SIS892DN-T1-GE3,SIB456DK-T1-GE3,V2P6-M3/H,ADUM7441CRQZ-RL7,SI4816BDY-T1-GE3,XLUGR34M,SISB46DN-T1-GE3,MBR1H100SFT3G,SI7818DN-T1-E3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
RoHS：
YES
SIA456DJ-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
200 V
Vgs（最大）：
±16V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.6A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.4V @ 250µA
包装/箱：
PowerPAK® SC-70-6
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
14.5 nC @ 10 V
功耗（最大）：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
供应商设备包：
PowerPAK® SC-70-6
Rds On（最大）@Id、Vgs：
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
350 pF @ 100 V
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