SI4126DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
部件编号：
SI4126DY-T1-GE3
替代型号：
LTC4353IMS#PBF,TMP435ADGSR,LM3150MH/NOPB,IRF7862TRPBF,SS36-E3/57T,FMMT624TA,LTC2977IUP#PBF,LFSPXO066657,EXC-34CG900U,LT1511CSW#PBF,LT4295HUFD#PBF,DG211BDY-T1-E3,ECS-2018-500-BN,ADUM1281BRZ-RL7,ACS732KLATR-75AB-T
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
RoHS：
YES
SI4126DY-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
供应商设备包：
8-SOIC
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.5V @ 250µA
漏源电压 (Vdss)：
30 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
105 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
39A (Tc)
功耗（最大）：
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.75mOhm @ 15A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
4405 pF @ 15 V
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