SI7463DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
部件编号：
SI7463DP-T1-GE3
替代型号：
SI7463DP-T1-E3,BAT54WS-E3-18,HDMR-19-01-S-SM,RKEF375,SIR167DP-T1-GE3,LTC4414EMS8#TRPBF,DMN4026SSD-13,SQJA36EP-T1_GE3,SI7155DP-T1-GE3,SIR426DP-T1-GE3,LTC4416EMS-1#PBF,FH41-40S-0.5SH(05),J0G-0009NL,2N7002-7-F,HSMG-C190
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7463DP-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
40 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
供应商设备包：
PowerPAK® SO-8
包装/箱：
PowerPAK® SO-8
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
11A (Ta)
功耗（最大）：
1.9W (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
140 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
9.2mOhm @ 18.6A, 10V
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