SI7818DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
部件编号：
SI7818DN-T1-GE3
替代型号：
SIA432DJ-T1-GE3,RCLAMP0582BQTCT,DF1510S-T,FDC86244,DF1510S,FQT1N60CTF-WS,SI7818DN-T1-E3,TPN5900CNH,L1Q,ADR01BRZ,FDMC86248,BSZ900N15NS3GATMA1
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7818DN-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
功耗（最大）：
1.5W (Ta)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
漏源电压 (Vdss)：
150 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
30 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.2A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
135mOhm @ 3.4A, 10V
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