IRF630FP
MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
IRF630FP 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
45 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
工作温度：
-65°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-220-3 Full Pack
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
200 V
功耗（最大）：
30W (Tc)
供应商设备包：
TO-220FP
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
700 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
400mOhm @ 4.5A, 10V
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