2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
部件编号：
2SK1119(F)
替代型号：
STP5NK100Z,TK7A90E,S4X,IXFP5N100P,APT8M100B
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
RoHS：
NO
2SK1119(F) 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
供应商设备包：
TO-220AB
包装/箱：
TO-220-3
漏源电压 (Vdss)：
1000 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 1mA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
4A (Ta)
功耗（最大）：
100W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
700 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
60 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.8Ohm @ 2A, 10V
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