IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
部件编号：
IXFA6N120P
替代型号：
IXFA6N120P-TRL,IXFA6N120P-TRL,BSS308PEH6327XTSA1,STPSC10H12G2Y-TR,IXTA3N150HV,NTR4501NT1G,HLMP-EG08-Y2000,IXFA4N100P,STH12N120K5-2AG,IXFA7N100P,G3R350MT12D,IXFA3N120,STH2N120K5-2AG,STB6NK90ZT4,IXTT6N120,IXTA3N120-TRL
制造商：
Wickmann / Littelfuse
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
RoHS：
YES
IXFA6N120P 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
6A (Tc)
功耗（最大）：
250W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
92 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2830 pF @ 25 V
供应商设备包：
TO-263AA (IXFA)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.4Ohm @ 500mA, 10V
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