SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
部件编号：
SI7615ADN-T1-GE3
替代型号：
BC816-16WF,TCN4158M006R0055E,FTSH-105-01-F-DV-K,SN65HVD1781QDRQ1,LTC4091EDJC#TRPBF,150120RS75000,MMBT5401-7-F,SI7149ADP-T1-GE3,SIZ340DT-T1-GE3,TPS61088RHLR,SISS65DN-T1-GE3,AON6411,RF4E110GNTR,TPS63070RNMR,SIS443DN-T1-GE3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7615ADN-T1-GE3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
35A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.4mOhm @ 20A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
183 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5590 pF @ 10 V
功耗（最大）：
3.7W (Ta), 52W (Tc)
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标准包装数量：66555
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