TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
部件编号：
TK100E10N1,S1X
替代型号：
AS5147P-HTSM,TK100E08N1,S1X,TMS320F28069FPZT,TK110E10PL,S1X,TK2R9E10PL,S1X,CSD19533KCS,2157601003,TK160F10N1L,LXGQ,TK100E06N1,S1X,2157591003,CSD19533Q5A,TK3R9E10PL,S1X,1054302102,CSD19534KCS,TK3R2A10PL,S4X
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
RoHS：
YES
TK100E10N1,S1X 规格
安装类型：
Through Hole
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
TO-220-3
供应商设备包：
TO-220
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 1mA
功耗（最大）：
255W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
140 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.4mOhm @ 50A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
8800 pF @ 50 V
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