2N7636-GA
TRANS SJT 650V 4A TO276
部件编号:
2N7636-GA
替代型号:
制造商:
GeneSiC Semiconductor
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
TRANS SJT 650V 4A TO276
RoHS:
NO
2N7636-GA 规格
安装类型:
Surface Mount
漏源电压 (Vdss):
650 V
功耗(最大):
125W (Tc)
技术:
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
4A (Tc) (165°C)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
415mOhm @ 4A
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
324 pF @ 35 V
工作温度:
-55°C ~ 225°C (TJ)
包装/箱:
TO-276AA
供应商设备包:
TO-276
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制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
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