2N7639-GA
TRANS SJT 650V 15A TO257
2N7639-GA 规格
安装类型：
Through Hole
漏源电压 (Vdss)：
650 V
技术：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
供应商设备包：
TO-257
包装/箱：
TO-257-3
工作温度：
-55°C ~ 225°C (TJ)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1534 pF @ 35 V
功耗（最大）：
172W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
15A (Tc) (155°C)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
105mOhm @ 15A
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