STN3P6F6
MOSFET P-CH 60V SOT223
部件编号：
STN3P6F6
替代型号：
PJW4P06A_R2_00001,BZX384-B20-QX,STN3NF06L,AT24CM01-XHM-T,SG-8018CA 25.0000M-TJHPA0,STPS3L60U,STD10P6F6,MIMXRT1052CVJ5B,VNS14NV04PTR-E,BC856BDW1T1G,LM25011MY/NOPB,MMBF170LT1G,CC1R5-2412DR-E,MK64FN1M0VLQ12,BSS123-7-F
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 60V SOT223
RoHS：
YES
STN3P6F6 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
包装/箱：
TO-261-4, TO-261AA
供应商设备包：
SOT-223
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
6.4 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
160mOhm @ 1.5A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
340 pF @ 48 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
3A (Tj)
功耗（最大）：
2.6W (Tc)
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