STL100N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
部件编号：
STL100N10F7
替代型号：
PZU12B3,115,TLV9032DR,LTC4359HMS8#PBF,T4040014041-000,MMBT3904TT1G,S1KP1M-7,T4041017041-000,D3V3M1U2S9-7,CSD19531Q5AT,STL120N10F8,TPSI3050QDWZRQ1,GBL06,416131160805,AONS66612,SI7120ADN-T1-GE3
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
RoHS：
YES
STL100N10F7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
8-PowerVDFN
供应商设备包：
PowerFlat™ (5x6)
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
80 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
功耗（最大）：
5W (Ta), 100W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
7.3mOhm @ 19A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5680 pF @ 50 V
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