CSD13201W10
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
部件编号：
CSD13201W10
替代型号：
BLM15PX601SN1D,DF40GB(3.0)-48DS-0.4V(58),TF31-24S-0.5SH(800),CSD23202W10,VLMU1610-365-135,DF2B6.8M1ACT,L3F,IS25WP128-JLLE,TPS3899DL28DSER,CSD25213W10,IS25WP128-JKLE,ECS-120-12-36-AGN-TR3,CSD17483F4,ESD108B1CSP0201XTSA1,RP604K331A-TR,DP83826ERHBR
制造商：
Texas Instruments
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
RoHS：
YES
CSD13201W10 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
功耗（最大）：
1.2W (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
12 V
Vgs（最大）：
±8V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
1.8V, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.1V @ 250µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.6A (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
2.9 nC @ 4.5 V
供应商设备包：
4-DSBGA (1x1)
包装/箱：
4-UFBGA, DSBGA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
34mOhm @ 1A, 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
462 pF @ 6 V
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标准包装数量：42998
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