TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
部件编号：
TK31V60X,LQ
替代型号：
TK099V65Z,LQ,IPL60R085P7AUMA1,IRSM808-204MHTR,IRSM808-105MHTR,STL220N6F7
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
RoHS：
YES
TK31V60X,LQ 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs（最大）：
±30V
漏源电压 (Vdss)：
600 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
65 nC @ 10 V
功耗（最大）：
240W (Tc)
包装/箱：
4-VSFN Exposed Pad
供应商设备包：
4-DFN-EP (8x8)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3000 pF @ 300 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
30.8A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
98mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 1.5mA
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