STW11NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
部件编号:
STW11NK100Z
替代型号:
STW9N150,E-L9823013TR,STV270N4F3,SPC584B70E3EHC0X,DSP56F803BU80E,FQA8N100C,FQH8N100C,STW9NK90Z,MPC5566MVR132,PD55015-E,MC9S12XDP512MAG,STW13NK100Z,MK24FN1M0VLQ12,L6234PD013TR,APT13F120B
制造商:
STMicroelectronics
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
RoHS:
YES
STW11NK100Z 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(最大):
±30V
漏源电压 (Vdss):
1000 V
包装/箱:
TO-247-3
供应商设备包:
TO-247-3
Vgs(th)(最大值)@Id:
4.5V @ 100µA
功耗(最大):
230W (Tc)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
162 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
3500 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
8.3A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
1.38Ohm @ 4.15A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1600
数量
单价
国际价格
1
7.05
7.05
30
5.63
168.9
120
5.04
604.8
510
4.44
2264.4
1020
4
4080
2010
3.75
7537.5
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码