IRF640PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
部件编号：
IRF640PBF
替代型号：
IRF9640PBF,IRF640NPBF,IRF640PBF-BE3,UC3524AN,IRF630PBF,IRF620PBF,P160KN-0QC15B50K,IRF5210PBF,MXO45-3C-1M000000,NE555P,STPS1545D,MJ-3536NG,ES2D-E3/5BT,SN74HC14QDRQ1,ED14DT
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
RoHS：
YES
IRF640PBF 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
TO-220AB
包装/箱：
TO-220-3
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1300 pF @ 25 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
功耗（最大）：
125W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
70 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
18A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
180mOhm @ 11A, 10V
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