IXGQ35N120BD1
IGBT 1200V 75A 400W TO3P
Numéro de pièce：
IXGQ35N120BD1
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Description：
IGBT 1200V 75A 400W TO3P
RoHS：
YES
IXGQ35N120BD1 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
1200 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-3P
Colis/Caisse：
TO-3P-3, SC-65-3
Type d'entrée：
Standard
Temps de récupération inversée (trr)：
40 ns
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
75 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
200 A
Frais de porte：
140 nC
Puissance - Max：
400 W
Td (marche/arrêt) à 25°C：
40ns/270ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
3.3V @ 15V, 35A
Condition de test：
960V, 35A, 3Ohm, 15V
Changer d'énergie：
900µJ (on), 3.8mJ (off)
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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