GPA015A120MN-ND
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
Numéro de pièce：
GPA015A120MN-ND
Fabricant：
SemiQ
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Description：
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
RoHS：
YES
GPA015A120MN-ND Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
1200 V
Colis/Caisse：
TO-3P-3, SC-65-3
Type d'entrée：
Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
2.5V @ 15V, 15A
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
30 A
Condition de test：
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
45 A
Package d'appareil du fournisseur：
TO-3PN
Frais de porte：
210 nC
Type IGBT：
NPT and Trench
Temps de récupération inversée (trr)：
320 ns
Puissance - Max：
212 W
Changer d'énergie：
1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (marche/arrêt) à 25°C：
25ns/166ns
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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