DMN6075S-13

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DMN6075S-13

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23

Numéro de pièce：

DMN6075S-13

Modèle alternatif：

DMN6075S-7 , DMN6075S-7 , FDN5632N-F085 , 06N06L , PBSS8110T , 215 , ADR5043ARTZ-REEL7 , IRLML0060TRPBF , DMN6140L-13 , DMN6140LQ-13 , SL05N06-TP , 3410.0035.01 , ZXMN6A07FQTA , 2N7002 , LMZ14203TZ-ADJ/NOPB , 2N7002K , DFLS1100-7

Fabricant：

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23

RoHS：

YES

：

DMN6075S-13 DMN6075S-13 DMN6075S-13

DMN6075S-13 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension drain-source (Vdss)：

60 V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Colis/Caisse：

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Package d'appareil du fournisseur：

SOT-23-3

Vgs(e) (Max) @ Id：

3V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

800mW (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

12.3 nC @ 10 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

85mOhm @ 3.2A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

606 pF @ 20 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：15032

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

10000

0.07

700

30000

0.07

2100

50000

0.06

3000

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