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FDMA6676PZ

MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET

Numéro de pièce：

FDMA6676PZ

Modèle alternatif：

MCP2562FD-E/SN , LT3065IDD-2.5#PBF , NTLJS17D0P03P8ZTAG , TPS22810TDBVRQ1 , KDMIX-SL1-NS-WS-B15 , EMI4192MTTAG , ESDA24P140-1U3M , SIC437AED-T1-GE3 , NTLJS7D2P02P8ZTAG , FUSB302MPX , TPS22810DBVR , DMN3067LW-7 , ECMF02-2HSMX6 , FUSB340TMX , T55P475M010C0200

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET

RoHS：

YES

：

FDMA6676PZ FDMA6676PZ FDMA6676PZ FDMA6676PZ FDMA6676PZ FDMA6676PZ FDMA6676PZ

FDMA6676PZ Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

4.5V, 10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

30 V

Vgs (Max)：

±25V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

46 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

11A (Ta)

Dissipation de puissance (maximum)：

2.4W (Ta)

Package d'appareil du fournisseur：

6-MicroFET (2x2)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2.6V @ 250µA

Colis/Caisse：

6-PowerWDFN

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

13.5mOhm @ 11A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2160 pF @ 15 V

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