IXTH22N50P

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IXTH22N50P

MOSFET N-CH 500V 22A TO247

Numéro de pièce：

IXTH22N50P

Modèle alternatif：

IXTH460P2 , IXTH11P50 , IXFH22N50P , IXTQ22N50P , IXTH20P50P , IRFP23N50LPBF

Fabricant：

Littelfuse / IXYS RF

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 500V 22A TO247

RoHS：

YES

：

IXTH22N50P

IXTH22N50P Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

50 nC @ 10 V

Colis/Caisse：

TO-247-3

Vgs(e) (Max) @ Id：

5.5V @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

22A (Tc)

Tension drain-source (Vdss)：

500 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-247 (IXTH)

Dissipation de puissance (maximum)：

350W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

270mOhm @ 11A, 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

2630 pF @ 25 V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：1780

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

7.15

7.15

30

5.67

170.1

120

4.85

582

510

4.31

2198.1

1020

3.7

3774

2010

3.48

6994.8

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