SI3460BDV-T1-E3

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SI3460BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

Numéro de pièce：

SI3460BDV-T1-E3

Modèle alternatif：

744235101 , DMN1260UFA-7B , SI3460DDV-T1-GE3 , IRLMS2002TRPBF , BLM15AX102SN1D , FDC637BNZ , VLMO20J2M1-GS08 , SI3464DV-T1-BE3 , SI3460BDV-T1-GE3 , FT230XQ-R , SQ3460EV-T1_GE3 , RQ6E085BNTCR

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

RoHS：

YES

：

SI3460BDV-T1-E3 SI3460BDV-T1-E3 SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±8V

Vgs(e) (Max) @ Id：

1V @ 250µA

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

8A (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

860 pF @ 10 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

24 nC @ 8 V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Dissipation de puissance (maximum)：

2W (Ta), 3.5W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：6511

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.36

1080

6000

0.34

2040

9000

0.32

2880

30000

0.32

9600

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