SI3493BDV-T1-E3

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SI3493BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP

Numéro de pièce：

SI3493BDV-T1-E3

Modèle alternatif：

1.14.002.111/0000 , BLM18KG121TN1D , FT232RL-REEL , PMN16XNEX , SI3493BDV-T1-GE3 , SI7322DN-T1-GE3 , PMN30XPX , LP2992AIM5-1.8/NOPB , BLM18AG601SN1D , NCV4264-2ST50T3G , SI3493DDV-T1-GE3 , AP7361-33FGE-7 , MMBT2222ALT1G , SI3407DV-T1-GE3 , PMEG3050EP , 115

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP

RoHS：

YES

：

SI3493BDV-T1-E3 SI3493BDV-T1-E3

SI3493BDV-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur：

6-TSOP

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)：

20 V

Vgs (Max)：

±8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

1.8V, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id：

900mV @ 250µA

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

27.5mOhm @ 7A, 4.5V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

43.5 nC @ 5 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1805 pF @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

2.08W (Ta), 2.97W (Tc)

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：46856

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.39

1170

6000

0.36

2160

9000

0.34

3060

30000

0.34

10200

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