SI4488DY-T1-E3

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SI4488DY-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO

Numéro de pièce：

SI4488DY-T1-E3

Modèle alternatif：

SI4488DY-T1-GE3 , FDS86252

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO

RoHS：

YES

：

SI4488DY-T1-E3 SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)：

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

150 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.56W (Ta)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

36 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

3.5A (Ta)

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 250µA (Min)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

50mOhm @ 5A, 10V

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：9052

Quantité

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1.08

2700

5000

1.03

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