SI4490DY-T1-E3

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SI4490DY-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO

Numéro de pièce：

SI4490DY-T1-E3

Modèle alternatif：

FDS2672 , FDS2734 , BSC196N10NSGATMA1 , ADS7828EB/2K5 , SWR25X-NRTC-S02-RB-BA , INA239AIDGST , FDS2670 , TPS546D24ARVFR , HX6098NL , LT4321HUF#PBF , FDMS2672

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO

RoHS：

YES

：

SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Package d'appareil du fournisseur：

8-SOIC

Colis/Caisse：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tension drain-source (Vdss)：

200 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

42 nC @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum)：

1.56W (Ta)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

2.85A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

80mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id：

2V @ 250µA (Min)

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Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：5555

Quantité

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Prix internationaux

2500

1.05

2625

5000

1.01

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