SI6410DQ-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
Numéro de pièce：
SI6410DQ-T1-E3
Fabricant：
Vishay / Siliconix
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Description：
MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
RoHS：
YES
SI6410DQ-T1-E3 Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package d'appareil du fournisseur：
8-TSSOP
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id：
1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (maximum)：
1.5W (Ta)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
7.8A (Ta)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
33 nC @ 5 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
14mOhm @ 7.8A, 10V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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