SUM60N10-17-E3

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SUM60N10-17-E3

MOSFET N-CH 100V 60A TO263

Numéro de pièce：

SUM60N10-17-E3

Modèle alternatif：

BSS138-7-F , DMG1012UWQ-7 , LM5050MKX-1/NOPB , TPS3711DDCR , XBS104S13R-G , 78614150360 , LM5050MK-2EVAL/NOPB , SBRA8160NT3G , LM5050MK-1/NOPB , 875105245014 , 3403.0283.11 , LMR51430YDDCR , 1.5SMC91CA , 5988170107F , 7M-24.576MAAJ-T

Fabricant：

Vishay / Siliconix

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 100V 60A TO263

RoHS：

YES

：

SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3

SUM60N10-17-E3 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

6V, 10V

Vgs (Max)：

±20V

Tension drain-source (Vdss)：

100 V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(e) (Max) @ Id：

4V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263 (D2PAK)

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

60A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

100 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

4300 pF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum)：

3.75W (Ta), 150W (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

16.5mOhm @ 30A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：4437

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

800

1.86

1488

1600

1.6

2560

2400

1.5

3600

5600

1.44

8064

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