FDA28N50

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FDA28N50

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

Numéro de pièce：

FDA28N50

Modèle alternatif：

STW28NM50N

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

RoHS：

YES

：

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FDA28N50 Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (Max)：

±30V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Colis/Caisse：

TO-3P-3, SC-65-3

Tension drain-source (Vdss)：

500 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

28A (Tc)

Dissipation de puissance (maximum)：

310W (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

105 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

5140 pF @ 25 V

Package d'appareil du fournisseur：

TO-3PN

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

155mOhm @ 14A, 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：2038

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

1

5.21

5.21

30

4.13

123.9

120

3.54

424.8

510

3.15

1606.5

1020

2.7

2754

2010

2.54

5105.4

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