FDD6030L
MOSFET N-CH 30V 12A/50A DPAK
FDD6030L Spécifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur：
TO-252AA
Vgs(e) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：
28 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：
1230 pF @ 15 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
12A (Ta), 50A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum)：
3.2W (Ta), 56W (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
14.5mOhm @ 12A, 10V
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1600
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